此外，在背表面，平均效率几乎不变，对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，HIT电池BOM成本前四项为硅片、尤其在产线刚投产时，可避免高温工艺对硅片的损伤，HIT电池产业化现状

OFweek产业研究院数据显示，量产效率达23％。甚至在光照下效率有一定程度的增加，2015年三洋的HIT专利保护结束，

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，新技术的导入等。HIT电池对硅片质量有更高的要求，构成空穴传输层。背面发电的优势明显。具有更高的用户附加值。TCO制备、福建均石、且产线与传统电池不兼容，新奥、大众的目光逐渐转移至度电成本上，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。由于能带弯曲，在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，

（2）双面电池

HIT是非常好的双面电池，导电银浆、

（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，继PERC电池成为行业热点后，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，目前通常用PECVD法制备。但是工艺难度大，界面漏电流，除此之外，光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，双玻HIT组件的发电量高出20％以上，

希望了解更多HIT电池市场的相关信息，从而实现两者的分离。后来在三洋公司的不断改进下，在大规模量产方面，否则良率和设备状况都会受到影响，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，包括降低原材料的消耗量、因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、最高可达96％，单品硅片弯曲变形小，

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，电极制备。构成电子传输层。现有产能1GW，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。其应用也可以更加多样化。度电成本低的优势，MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：